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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3730UFB4-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3730UFB4-7价格参考。Diodes Inc.DMN3730UFB4-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3730UFB4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3730UFB4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes公司的DMN3730UFB4-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的DC-DC转换器和电源开关,实现高效能与低功耗。 2. 负载开关:作为高边或低边开关,控制电源对负载的供给,常见于电池供电设备中,以延长续航时间。 3. 马达驱动:用于小型电机或继电器的开关控制,如在打印机、家电和工业自动化设备中。 4. 保护电路:配合控制器实现过流、过压或短路保护,提升系统稳定性与安全性。 5. 通信设备:应用于网络设备和基站模块中,作为高频开关元件,支持数据传输和信号调节。 该器件采用小型DFN封装(4.0mm x 2.5mm),导通电阻低(通常为18mΩ),工作电压为-30V,最大连续漏极电流可达-6.1A,适合空间受限且要求高性能的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 750MA DFNMOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 730 mA |
Id-连续漏极电流 | 730 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN3730UFB4-7 |
Pd-PowerDissipation | 0.69 W |
Pd-功率耗散 | 690 mW |
Qg-GateCharge | 1.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 1.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 460 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 460 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 64.3pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 460 毫欧 @ 200mA,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-DFN |
其它名称 | DMN3730UFB4-7DKR |
功率-最大值 | 470mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
封装/箱体 | DFN1006H4-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 40 mS |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 750mA (Ta) |
系列 | DMN3730 |