Datasheet下载- 型号： IRFIBF30GPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIBF30GPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIBF30GPBF价格参考。VishayIRFIBF30GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFIBF30GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFIBF30GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFIBF30GPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理： IRFIBF30GPBF可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）等场景，提供高效的功率转换和稳定的电流控制。 2. 电机驱动： 该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够实现快速开关和精确的速度控制。 3. 负载开关： 在需要动态控制负载通断的应用中，例如消费电子产品或工业设备，IRFIBF30GPBF可以作为高效的负载开关使用。 4. 电池保护与管理： 适用于锂电池或其他可充电电池的保护电路，提供过流保护和短路保护功能。 5. 逆变器与太阳能系统： 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，该MOSFET可用于功率转换和能量管理，提升系统的效率和可靠性。 6. 汽车电子： 可用于汽车中的照明控制、燃油喷射系统、电动车窗等应用，满足汽车级产品的严格要求。 7. 信号切换： 在高频信号切换电路中，IRFIBF30GPBF凭借其快速开关特性，能够实现低损耗的信号传输。 由于其出色的电气性能和可靠性，IRFIBF30GPBF广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备以及新能源等领域。选择该器件时，需根据具体电路需求考虑其最大漏源电压、连续漏极电流、栅极阈值电压等关键参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FPMOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIBF30GPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91186 |
| 产品型号 | IRFIBF30GPBFIRFIBF30GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIBF30GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3.7 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 900 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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