ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMN5L06VK-7
Datasheet下载- 型号： DMN5L06VK-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN5L06VK-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN5L06VK-7价格参考。Diodes Inc.DMN5L06VK-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 50V 280mA 250mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载DMN5L06VK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN5L06VK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN5L06VK-7是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列类型的产品。该器件具有低导通电阻和紧凑封装的特点，适用于多种应用场景，特别是在需要高效能、小尺寸和低功耗的电路设计中。 主要应用场景： 1. 电源管理： - DMN5L06VK-7常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高整体效率。 - 在电池供电设备中，如移动电话、平板电脑、便携式医疗设备等，该器件可以有效延长电池寿命。 2. 负载开关： - 作为负载开关，DMN5L06VK-7能够快速响应并控制电流流向不同的负载，确保系统在不同工作模式下的稳定性和安全性。 - 应用于USB接口、多路电源选择等场合，提供可靠的电源切换功能。 3. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，如步进电机、直流无刷电机等，DMN5L06VK-7可用于控制电机的启停和速度调节。 - 其低导通电阻和快速开关特性使得电机运行更加平稳，减少能耗。 4. 信号切换与保护： - 在通信设备、音频设备等需要频繁切换信号路径的应用中，该器件可以实现高效的信号切换。 - 同时，它还可以用作过流保护、短路保护等功能，提升系统的可靠性和安全性。 5. 消费电子： - 广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手表、智能家居设备、物联网（IoT）终端等。 - 其紧凑的封装形式（如SOT-23、DFN等）使其非常适合于空间受限的设计。 总之，DMN5L06VK-7凭借其出色的电气性能和小巧的封装，在电源管理、信号处理、电机控制等领域有着广泛的应用前景，尤其适合对体积和功耗有严格要求的便携式和嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-563MOSFET Dual N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 280 mA |
| Id-连续漏极电流 | 280 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN5L06VK-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN5L06VK-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2000 mOhms at 5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA @ 5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DMN5L06VK7 |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 280mA |
| 系列 | DMN5L06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
