ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRFE6VP61K25HR5
Datasheet下载- 型号： MRFE6VP61K25HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP61K25HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP61K25HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP61K25HR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230。您可以下载MRFE6VP61K25HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP61K25HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VP61K25HR5是NXP USA Inc.推出的一款高功率LDMOS射频MOSFET晶体管，广泛应用于高频率、高功率的射频放大场景。其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：适用于AM、FM和数字音频广播（如HD Radio）发射机，提供高效、稳定的射频功率输出，适合大功率地面广播基站。 2. 工业与医疗设备：用于射频能量应用，如工业加热、等离子生成及医疗射频治疗设备，具备良好的热稳定性和可靠性。 3. 航空与国防通信：在雷达系统、高频通信链路和电子战设备中，该器件可在1.8 GHz至2.2 GHz频率范围内提供高达1250瓦的峰值功率，满足严苛环境下的性能需求。 4. 无线基础设施：支持陆地移动无线电（LMR）和公共安全通信系统，适用于需要高线性度和耐用性的专业通信基站。 MRFE6VP61K25HR5采用先进的LDMOS技术，具有高增益、高效率和出色的抗失配能力，配合集成的内部匹配网络，简化了电路设计并提升系统稳定性。其陶瓷封装具备优异的散热性能，适合持续高功率运行环境。总体而言，该器件适用于对功率、可靠性和热管理要求较高的中高频射频放大系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF 2N-CH 230MHZ 50V NI-1230射频MOSFET晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 uA |
| Id-连续漏极电流 | 10 uA |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25HR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6VP61K25HR5 |
| Pd-PowerDissipation | 1333 W |
| Pd-功率耗散 | 1333 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 133 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 133 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317 |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRFE6VP61K25HR5CT |
| 功率-输出 | 1250W |
| 功率耗散 | 1333 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 13.155 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 封装/箱体 | NI-1230 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 133 V |
| 漏极连续电流 | 10 uA |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 系列 | MRFE6VP61K25H |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=903068882001 |
| 输出功率 | 1250 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
| 频率 | 1.8 MHz, 600 MHz |
| 额定电流 | - |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
