ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > SMUN5111T1G
Datasheet下载- 型号： SMUN5111T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5111T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5111T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5111T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)。您可以下载SMUN5111T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5111T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5111T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻的NPN结构，采用SOT-23封装，适用于便携式和高密度电路设计。该器件广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备中。 典型应用场景包括：开关电路，如LED驱动、继电器或负载控制，其内置电阻简化了基极驱动设计，降低外围元件数量；信号放大电路，用于音频或传感器小信号处理，具有良好的线性响应；逻辑电平转换与接口电路，适用于微控制器与外围设备之间的电平匹配；此外，也常用于电源管理模块中的低功耗驱动和检测电路。 由于其高可靠性、小型化封装和稳定的电气性能，SMUN5111T1G特别适合对空间和功耗敏感的应用，如智能手机、可穿戴设备、智能家居产品和便携式医疗设备等。同时，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5111T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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