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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5235BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5235BLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5235BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5235BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5235BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ5235BLT1G是一款表面贴装的齐纳二极管,属于MMBZ52系列,采用SOD-323封装,具有小尺寸、高稳定性和低功耗的特点。该器件的标称齐纳电压为6.2V,适用于需要精确电压参考和稳压功能的电路。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:由于其小型化封装和低功耗特性,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和能耗敏感的产品中,用于电源管理或信号电平钳位。 2. 电源保护电路:在各类直流电源系统中,用作过压保护元件,防止瞬态电压或浪涌损坏后续电路。 3. 电压基准源:在模拟电路或传感器信号调理电路中提供稳定的参考电压,确保系统精度。 4. ESD和瞬态保护:可与其他保护器件配合使用,抑制静电放电(ESD)和瞬态干扰,提高系统可靠性。 5. 消费类电子产品:如电视、机顶盒、路由器等,用于内部电路的稳压与保护。 6. 工业控制与通信模块:在低功率工业设备和通信接口电路中实现电压箝位和噪声抑制。 MMBZ5235BLT1G因其高可靠性、符合AEC-Q101车规认证及无铅环保设计,也适用于汽车电子中的辅助电路。总体而言,该型号适用于需要紧凑设计和稳定性能的低压稳压与保护场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3稳压二极管 6.8V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5235BLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5235BLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5235BLT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5235B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.8 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |