ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > SMBT3904DW1T1G
Datasheet下载- 型号： SMBT3904DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMBT3904DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMBT3904DW1T1G价格参考￥0.54-￥0.54。ON SemiconductorSMBT3904DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMBT3904DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMBT3904DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMBT3904DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于NPN型晶体管，采用SOT-363封装，内部集成两个独立的3904型晶体管。该器件具有高增益、快速开关特性，适用于低电压、低电流环境下的信号放大与开关控制。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的逻辑电平转换和驱动电路；消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中的小型继电器或LED驱动；通信设备中的信号切换与缓冲电路；以及各类需要紧凑设计的嵌入式系统中作为小信号放大器或电子开关使用。由于其小型化封装和良好热稳定性，特别适合空间受限且对可靠性要求较高的场合。 此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于工业控制、汽车电子（非动力系统）、电源管理模块及传感器接口电路中，实现高效的信号处理与控制功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE STD REC SC88两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 40V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SMBT3904DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMBT3904DW1T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363，SC70 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 VDC |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MBT3904DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 VDC |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 VDC |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 VDC |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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