ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > SMUN5314DW1T1G
Datasheet下载- 型号： SMUN5314DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5314DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5314DW1T1G价格参考￥询价-￥询价。ON SemiconductorSMUN5314DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMUN5314DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5314DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5314DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置两个由电阻配置的NPN晶体管，采用SOT-26封装。该器件集成了基极-发射极和基极-集电极的内置电阻，简化了外部电路设计，提升了系统可靠性。 主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、电视等设备中的信号开关与逻辑电平转换电路，因其集成电阻可减少外围元件数量，节省PCB空间。 2. 便携式设备：适用于电池供电设备如智能手表、无线耳机等，具有低功耗特性，有助于延长续航时间。 3. 驱动电路：常用于LED驱动、LCD背光控制或小型继电器驱动，实现高效的开关功能。 4. 工业控制与家电：应用于微控制器接口电路中，作为I/O扩展缓冲器或小功率负载开关，提升抗干扰能力。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口或车身控制模块中的信号处理。 SMUN5314DW1T1G具备高可靠性、小尺寸和易于使用的优点，特别适合需要高集成度和紧凑设计的场景。其预偏置结构降低了设计复杂度，缩短开发周期，是现代电子系统中理想的晶体管解决方案之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5314DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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