Datasheet下载- 型号： FDP20AN06A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP20AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP20AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP20AN06A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP20AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP20AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP20AN06A0 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压（60V）和大电流承载能力（约20A），适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。此外，该器件也常用于工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电系统和电机驱动）以及消费类电子产品中的功率控制部分。由于其优异的热稳定性和开关性能，FDP20AN06A0在要求高可靠性和高效能的电源管理应用中备受青睐。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDP20AN06A0 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 45A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 45A （Tc） |
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