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STD15N65M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD15N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD15N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTD15N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 650V 11A(Tc) 85W(Tc) DPAK。您可以下载STD15N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD15N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD15N65M5 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): STD15N65M5 具有 650V 的高击穿电压和低导通电阻特性,非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如,它可以用作功率因数校正 (PFC) 电路或 DC-DC 转换器中的主开关器件。 2. 电机驱动: 在工业自动化和家电领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。其高电压耐受能力和良好的开关性能使其适用于各种电机控制场景,如风扇、泵或压缩机等。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,STD15N65M5 可作为功率级开关元件,实现高效的直流到交流转换。 4. 电磁阀控制: 由于其能够承受较高的电压和电流,这款 MOSFET 常用于控制电磁阀的开关操作,尤其是在需要快速响应的应用中。 5. 负载切换与保护: 在汽车电子或工业设备中,STD15N65M5 可用作负载切换开关,提供过流保护或短路保护功能,同时确保系统稳定运行。 6. 不间断电源 (UPS): 在 UPS 系统中,该 MOSFET 可用于电池充放电管理以及逆变输出阶段,帮助实现高效能量转换。 7. LED 驱动器: 对于高功率 LED 照明系统,STD15N65M5 可用于调节电流以维持恒定亮度,并支持调光功能。 总之,STD15N65M5 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高电压处理能力且追求效率优化的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 650V 11A DPAKMOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD15N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD15N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 340 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 340 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 710 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 710 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 816pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 340 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-13641-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253711?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 340 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 710 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
| 系列 | STD15N65M5 |
| 配置 | Single |