Datasheet下载- 型号： BSP129E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP129E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP129E6327价格参考。InfineonBSP129E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP129E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP129E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BSP129E6327是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中小功率开关和信号控制场合。该器件采用PG-SOT23-3封装，具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性等特点，适合在紧凑型电子设备中使用。 其主要应用场景包括：便携式电子产品中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载控制；消费类电器中的电机驱动与LED调光电路；工业自动化系统中的传感器信号开关与小型继电器驱动；以及各类电源转换模块，如DC-DC转换器和低压降稳压电路中作为同步整流或开关元件。 此外，BSP129E6327也适用于需要高效能与低功耗平衡的绿色能源设备，如智能电表、光伏微逆变器等。其高抗干扰能力和稳定性使其在电磁环境复杂的工业场景中表现良好。由于其符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品设计需求。 综上所述，BSP129E6327凭借其优异的电气性能和紧凑封装，广泛用于消费电子、工业控制、电源管理和绿色能源等多个领域，是中小功率开关应用中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP129_Rev1.1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42eff594ad7 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSP129E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 108µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 108pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 350mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP129INCT |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 240V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA （Ta） |
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