ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF647,112
Datasheet下载- 型号： BLF647,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF647,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF647,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF647,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 28V 600MHz 14.5dB 120W LDMOST。您可以下载BLF647,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF647,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT540A射频MOSFET晶体管 RF LDMOS 150W UHF |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF647,112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF647,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 290 W |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | FETs - RF |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-2419 |
| 功率-输出 | 120W |
| 功率耗散 | 290 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 160 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-540A |
| 封装/箱体 | SOT-540A |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | - |
| 输出功率 | 150 W |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 15 V |
| 零件号别名 | BLF647 |
| 频率 | 800 MHz |
| 额定电流 | 18A |
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