数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIB5N65APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIB5N65APBF价格参考。VishayIRFIB5N65APBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIB5N65APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIB5N65APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFIB5N65APBF是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于各种开关电源设计,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其高电压耐受能力(650V)和低导通电阻(典型值为1.8Ω)使其能够在高频开关条件下高效工作。 2. 电机驱动:在工业控制和消费电子领域中,IRFIB5N65APBF可用于驱动小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和良好的热稳定性能够满足电机启动、运行及制动的需求。 3. 逆变器:该器件适合用于光伏逆变器、UPS不间断电源等系统中的功率转换部分。它可以帮助实现高效的电能转换,并支持较高的工作频率以减小磁性元件体积。 4. 负载开关与保护电路:由于具备较低的导通损耗和较强的电流处理能力(连续漏极电流可达9.2A),这款MOSFET可作为负载开关使用,在过流保护、短路保护等场合发挥重要作用。 5. PFC电路(功率因数校正):在需要提高功率因数的应用中,例如家用电器、照明设备等,IRFIB5N65APBF可以参与构建升压型PFC拓扑结构,优化系统的整体性能。 总之,凭借其出色的电气参数和可靠性,IRFIB5N65APBF广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在要求高效率、高可靠性的场景下表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FPMOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIB5N65APBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFIB5N65APBFIRFIB5N65APBF |
Pd-PowerDissipation | 60 W |
Pd-功率耗散 | 60 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 930 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 930 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 18 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1417pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 930 毫欧 @ 3.1A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFIB5N65APBF |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 60W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.1A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |