ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMB18,115
Datasheet下载- 型号： PUMB18,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB18,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB18,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB18,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB18,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB18,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB18,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路并提升响应速度； 2. 低功耗开关应用：在便携式设备（如TWS耳机充电仓、智能手环、无线传感器节点）中用作负载开关，支持3.3 V/5 V逻辑直接控制； 3. 信号调理与缓冲：在ADC/DAC前端或I²C/SPI总线中提供电流缓冲与电平适配，增强抗干扰能力； 4. 冗余/并联驱动需求场景：双通道结构便于构建互补输出或冗余备份电路（如H桥预驱、双路指示灯控制），提高系统可靠性。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）微型封装，具备低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）、高直流电流增益（hFE ≥ 160），工作温度范围为−65°C 至 +150°C，符合AEC-Q101标准，亦可用于车规级辅助电子模块（如车身控制单元中的小功率负载管理）。 注：不适用于高频放大或大功率开关场合（因fT仅约100 MHz，IC(max)为100 mA）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMB18,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057887115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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