Datasheet下载- 型号： SIHB6N65E-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB6N65E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB6N65E-GE3价格参考。VishaySIHB6N65E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB6N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB6N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHB6N65E-GE3 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，具有 650V 耐压和高开关性能，适用于多种高效率、高电压的电源转换场景。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、通信电源及消费类电子设备中的 AC-DC 和 DC-DC 转换器，因其高击穿电压和低导通电阻，有助于提升能效并减少发热。 2. LED 照明驱动：适用于大功率 LED 驱动电源，特别是在高压输入环境（如市电直接整流）中，可实现高效稳定的恒流输出，满足节能和长寿命要求。 3. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中用于 DC-AC 逆变电路，作为主开关器件之一，具备良好的高温稳定性和可靠性，适应严苛工作环境。 4. 电机驱动：应用于小功率工业电机、家用电器（如风扇、洗衣机）的控制模块中，支持高频开关操作，有助于减小系统体积并提高响应速度。 5. 高压电源模块与适配器：适合用于笔记本电脑、显示器等设备的高密度电源适配器设计，支持小型化与高效率需求。 该器件采用 TO-220 或类似封装，具备良好的热性能和电气隔离能力，同时符合 RoHS 标准，适合自动化生产。凭借 Vishay Siliconix 在功率半导体领域的技术积累，SIHB6N65E-GE3 在可靠性、抗雪崩能力和长期稳定性方面表现优异，是中高功率应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHB6N65E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 820pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 供应商器件封装 | D²PAK （TO-263） |
| 其它名称 | SIHB6N65E-GE3CT |
| 功率-最大值 | 78W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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