ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SIR770DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIR770DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR770DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR770DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR770DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 8A 17.8W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SIR770DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR770DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR770DP-T1-GE3是一款双N沟道MOSFET阵列，广泛应用于各种电力电子和信号处理系统中。该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：在电源转换电路中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池管理系统（BMS），SIR770DP-T1-GE3可以用于高效地控制电流流动，实现快速开关和低导通电阻（Rds(on)），从而减少能量损耗并提高效率。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中的无刷直流电机（BLDC）或步进电机驱动电路中，这款MOSFET阵列能够提供精确的电流控制和高效的功率传输，确保电机平稳运行并延长使用寿命。 3. 负载切换：在消费电子产品、通信设备和个人计算机等应用中，SIR770DP-T1-GE3可用于实现负载的快速切换，例如USB端口保护、硬盘驱动器供电控制等场合，确保系统稳定性和安全性。 4. 信号隔离与保护：通过集成两个独立的MOSFET通道，该器件还可以用于实现信号路径的隔离以及过流、短路保护等功能，适用于数据通信接口、传感器接口等领域。 5. 便携式设备：对于智能手机、平板电脑和其他移动设备而言，SIR770DP-T1-GE3的小型化封装（如TSSOP-8）有助于节省空间，并且其低功耗特性使得它成为这些设备的理想选择，以延长电池续航时间。 总之，SIR770DP-T1-GE3凭借其卓越的性能参数和紧凑的封装形式，在众多需要高性能、高可靠性的电路设计中展现出色的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR770DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR770DP-T1-GE3SIR770DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 17.8 W |
| Pd-功率耗散 | 17.8 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V to 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V to 2.8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 17.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 31 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIR770DP-GE3 |
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