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  • 型号: SIR770DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR770DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR770DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR770DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 8A 17.8W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SIR770DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR770DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR770DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIR770DP-T1-GE3SIR770DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

17.8 W

Pd-功率耗散

17.8 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

17.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V to 2.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V to 2.8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

21 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

功率-最大值

17.8W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

31 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A

系列

SIRxxxDP

配置

Dual

零件号别名

SIR770DP-GE3

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