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IRFB33N15DPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB33N15DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB33N15DPBF价格参考。International RectifierIRFB33N15DPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB33N15DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB33N15DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB33N15DPBF是一款N沟道MOSFET晶体管,属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRFB33N15DPBF适用于各种开关电源设计,例如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功率损耗,提高效率。 - 在高频开关应用中,该器件的快速开关速度和低栅极电荷特性有助于减少开关损耗。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机运行稳定。 - 在电动车窗、电动座椅等汽车电子系统中也有广泛应用。 3. 负载切换 - 在需要频繁开启和关闭负载的场景中(如LED照明、工业控制设备),IRFB33N15DPBF可以用作高效的负载切换开关。 - 其高可靠性设计使其能够在恶劣环境下长期工作。 4. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,这款MOSFET可以用于功率转换阶段,将直流电转换为交流电。 - 它的耐压能力(高达150V)和大电流处理能力(持续电流可达33A)使其非常适合此类应用。 5. 保护电路 - IRFB33N15DPBF可应用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应切断异常电流路径,保护整个系统免受损害。 6. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中,该MOSFET可用作信号放大或功率调节的关键组件。 总结 IRFB33N15DPBF凭借其优异的电气性能和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信领域。其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性使其成为高效功率转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRFB33N15DPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2020pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 56 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB33N15DPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |