Datasheet下载- 型号： SIR330DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR330DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR330DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR330DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR330DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR330DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR330DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关中，以提高系统效率并减小体积。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理系统，适合用于低电压操作环境。 3. 电机控制与驱动电路：在小型电机或继电器控制中作为高效开关使用。 4. 汽车电子系统：用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境中。 5. 工业控制系统：如 PLC、传感器模块及自动化设备中的开关元件。 该 MOSFET 采用小型封装（如 TDFN），便于高密度布局，适合便携式和空间受限的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIR330DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.6 毫欧 @ 10A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR330DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 27.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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