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Datasheet下载- 型号： MMBF170LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF170LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF170LT1G价格参考￥0.14-￥1.18。ON SemiconductorMMBF170LT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 500mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBF170LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF170LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的 MMBF170LT1G 是一款N沟道增强型MOSFET，属于表面贴装的小信号MOSFET器件，广泛应用于低功耗、小型化的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于采用SOT-23小封装，体积小、功耗低，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和能效要求高的产品，常用于电源开关或信号切换。 2. 电池供电系统：在低电压、低电流环境中表现优异，适合用于电池管理电路中的负载开关，实现对子系统的通断控制，延长电池寿命。 3. 信号开关与路由：可用于音频、数据或传感器信号的模拟开关应用，如耳机插拔检测、麦克风切换等，因其导通电阻较低且开关速度快。 4. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号电平转换时，MMBF170LT1G可作为简单的电平移位器使用，适用于I2C、GPIO等数字接口的电平匹配。 5. 驱动小功率负载：可用于驱动LED指示灯、小型继电器或蜂鸣器等微型负载，适合作为微弱信号的放大或控制元件。 6. 消费类电子产品：广泛应用于电视、机顶盒、路由器、智能家居设备等内部控制电路中，执行电源管理或信号控制功能。 总之，MMBF170LT1G凭借其小型化封装、低阈值电压和高可靠性，特别适合在空间受限、注重节能的现代电子系统中作为开关或控制元件使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23MOSFET 60V 500mA N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MMBF170LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF170LT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.225 W |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF170LT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 0.225 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.45 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 500 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA （Ta） |
| 系列 | MMBF170L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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