ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002KT1G
Datasheet下载- 型号： 2N7002KT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002KT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002KT1G价格参考￥0.10-￥0.10。ON Semiconductor2N7002KT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 320mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载2N7002KT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002KT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002KT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET，广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于具备快速开关特性，2N7002KT1G常用于电源管理、LED驱动、继电器控制等低功率开关应用，可替代传统双极性晶体管实现高效通断控制。 2. 信号切换与逻辑控制：在数字电路中，该器件可用于电平转换、逻辑门驱动和信号路由，适用于微控制器与外围设备之间的接口电路。 3. 便携式电子设备：因其低导通电阻和小封装（SOT-23），适合空间受限的便携设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关或负载控制。 4. 消费类电子产品：广泛用于家电控制板、遥控器、充电器等产品中，执行低电流开关功能。 5. 工业与汽车电子：在汽车电子系统（如传感器接口、车灯控制）及工业控制模块中，用于实现小型负载的驱动与保护。 6. 电源管理：适用于DC-DC转换器、LDO使能控制等低压电源管理系统，提升能效。 总体而言，2N7002KT1G凭借其高可靠性、低成本和优良的电气性能，成为众多低电压、低电流MOSFET应用中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 320 mA |
| Id-连续漏极电流 | 320 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2N7002KT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002KT1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms to 2.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 24.5pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | 2N7002KT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 55.8 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1600 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 320 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 320mA （Ta） |
| 系列 | 2N7002K |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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