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Datasheet下载- 型号： SI7431DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI7431DP-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7431DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7431DP-T1-E3价格参考。VishaySI7431DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 200V 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7431DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7431DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7431DP-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI7431DP-T1-E3 可用于降压、升压或升降压转换器中的开关器件，实现高效的电压调节。 - 负载开关：作为负载开关使用，控制电路中特定负载的开启和关闭，同时降低功耗。 - 线性稳压器 (LDO)：用作 LDO 的旁路开关或电流限制元件。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动低功率直流电机，提供高效的开关性能。 - H 桥电路：在 H 桥配置中，用于双向电机控制，支持正转和反转操作。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电保护：通过快速开关特性，保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 - 电池均衡电路：用于电池组中的能量均衡，确保各单体电池电压一致。 4. 消费电子设备 - USB 充电端口保护：在 USB 接口电路中，用于防止过流和短路，同时减少压降。 - 音频放大器：用作音频信号的开关或保护元件，提高系统的稳定性和效率。 5. 工业应用 - 继电器替代：利用其固态特性，替代传统机械继电器，减少磨损并提高可靠性。 - 信号隔离与切换：在工业自动化系统中，用于信号的高速切换和隔离。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷器等低功率电机的驱动和控制。 - LED 照明控制：用于汽车 LED 灯光的开关和调光。 特性优势 - 低导通电阻：减少功率损耗，提高系统效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 小封装尺寸：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。 综上所述，SI7431DP-T1-E3 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及电源管理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8MOSFET 200V 3.8A 5.4W 174mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7431DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7431DP-T1-E3SI7431DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 174 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 174 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 49 ns |
| 下降时间 | 49 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 174 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7431DP-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 174 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7431DP-E3 |
