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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5407NG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5407NG价格参考。ON SemiconductorNTD5407NG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD5407NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD5407NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5407NG 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS):NTD5407NG 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动:该器件可用于小型直流电机的驱动电路中,作为高侧或低侧开关,控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载切换:在消费电子和工业设备中,NTD5407NG 可用作负载切换开关,实现对不同负载的动态控制,同时减少功率损耗。 4. 电池管理:在电池供电设备中,这款 MOSFET 可用于电池保护电路,防止过流、短路或过度放电,确保电池安全运行。 5. LED 驱动:对于大功率 LED 照明应用,NTD5407NG 可用作电流调节开关,提供高效稳定的电流输出,保证 LED 的亮度和寿命。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动车窗、雨刷器或座椅调节等应用中,该 MOSFET 能够承受较高的电压和电流,并保持可靠的性能。 7. 信号放大与缓冲:在某些音频或信号处理电路中,NTD5407NG 可用作信号放大或缓冲元件,提升信号强度并降低失真。 8. 继电器替代:由于其快速响应和低功耗特点,NTD5407NG 可以替代传统机械继电器,用于需要频繁开关的场合。 总之,NTD5407NG 凭借其出色的电气特性和稳定性,在多种功率管理和控制场景中表现出色,是一款性价比高的 MOSFET 解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 38A DPAKMOSFET NFET 40V 38A PB |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 38 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5407NG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTD5407NG |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 75 W |
Pd-功率耗散 | 75 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 17 ns |
下降时间 | 51 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 32V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 66 ns |
功率-最大值 | 75W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 26 mOhms |
封装 | Rail |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
正向跨导-最小值 | 15 S |
汲极/源极击穿电压 | 40 V |
漏极连续电流 | 38 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.6A (Ta), 38A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |