ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR5410TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFR5410TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5410TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5410TRPBF价格参考。International RectifierIRFR5410TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR5410TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR5410TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR5410TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，因其低导通电阻（RDS(on)）和高效率，有助于减少能量损耗，提升电源整体效率。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制，如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的直流电机驱动电路，具备良好的热稳定性和快速开关能力。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，支持恒流控制与调光功能，适用于工业照明、汽车照明及高亮度LED应用。 4. 消费电子：用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源部分，满足小型化和高能效的设计需求。 5. 汽车电子：在车载电源系统、继电器替代或负载开关中发挥作用，具备一定的抗干扰能力和可靠性，适合严苛工作环境。 IRFR5410TRPBF采用TO-252（D-Pak）封装，便于散热和安装，适合表面贴装工艺，广泛用于中等功率应用。其耐压60V、连续漏极电流达38A的电气特性，使其在兼顾性能与成本的场景中具有优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 13A DPAKMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 13 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5410TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR5410TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 66 W |
| Pd-功率耗散 | 66 W |
| Qg-GateCharge | 38.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 205 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 205 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 205 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR5410PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 66W |
| 功率耗散 | 66 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 205 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 38.7 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.2 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | - 13 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr5410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr5410.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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