ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTR2101PT1G
Datasheet下载- 型号： NTR2101PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR2101PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR2101PT1G价格参考。ON SemiconductorNTR2101PT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 8V 960mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NTR2101PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR2101PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTR2101PT1G是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理电路和负载开关等。由于该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、小封装（SOT-23）和高开关效率的特点，非常适合空间受限且对功耗敏感的设计。 常见应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关或电池管理模块；也可用于DC-DC转换器中的同步整流或低电压开关电路，提升能效。此外，NTR2101PT1G还适用于驱动LED、小型电机或继电器等负载控制场景，表现出良好的稳定性和响应速度。 因其具备较高的可靠性与热稳定性，该型号也常用于工业控制、消费类电子及家用电器的小信号开关应用中。总体而言，NTR2101PT1G凭借其紧凑设计和优异性能，成为低功率、高密度电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23MOSFET -8V 3.7A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR2101PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTR2101PT1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
| Pd-功率耗散 | 960 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 79 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 79 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15.75 ns |
| 下降时间 | 15.75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1173pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR2101PT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 960mW |
| 功率耗散 | 0.96 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 79 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 8 V |
| 漏极连续电流 | - 3.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | NTR2101P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
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