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SIS892DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS892DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS892DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS892DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS892DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS892DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS892DN-T1-GE3 是一款 N 沱增强型功率 MOSFET,采用紧凑的 PowerPAK® 8x8 封装。其主要应用场景包括: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:适用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件,能够高效处理电流和电压转换。 - 负载开关:用于控制电路中负载的通断,支持快速切换和低导通电阻(Rds(on)),减少功率损耗。 - 电池管理系统 (BMS):在电池保护和能量管理中用作开关器件,确保系统安全运行。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于消费电子、家电或工业设备中的电机驱动电路,提供高效的功率传输和控制。 - H 桥电路:在需要双向控制的电机应用中作为开关元件使用。 3. 通信设备 - 基站功率放大器:用于射频 (RF) 功率放大器的偏置控制和功率管理。 - 网络交换机和路由器:为数据通信设备中的电源模块提供高效率和高可靠性。 4. 消费类电子产品 - 笔记本电脑和平板电脑:用于适配器和内部电源管理单元 (PMU),支持高效的电能转换。 - 智能手机充电器:在快充方案中作为开关元件,实现高效率和低发热性能。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC):用于信号隔离和功率输出控制。 - 传感器接口:在工业传感器中作为信号调理和功率控制的开关。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和其他子系统的电源管理。 - LED 照明驱动:在汽车内外照明系统中提供高效驱动和调光功能。 SIS892DN-T1-GE3 的优势在于其低导通电阻(典型值为 2.7mΩ)、高电流能力(连续漏极电流高达 74A)以及出色的热性能,使其非常适合需要高效率和高功率密度的应用场景。此外,其小尺寸封装有助于节省 PCB 空间,特别适合对空间要求严格的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAKMOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS892DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIS892DN-T1-GE3SIS892DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 52 W |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Qg-GateCharge | 14.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 14.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 611pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SIS892DN-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 52W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 22 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
系列 | SISxxxDN |
配置 | Single |
零件号别名 | SIS892DN-GE3 |