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  • 型号: SIS892DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIS892DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIS892DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS892DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS892DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS892DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS892DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIS892DN-T1-GE3 是一款 N 沱增强型功率 MOSFET,采用紧凑的 PowerPAK® 8x8 封装。其主要应用场景包括:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:适用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件,能够高效处理电流和电压转换。
   - 负载开关:用于控制电路中负载的通断,支持快速切换和低导通电阻(Rds(on)),减少功率损耗。
   - 电池管理系统 (BMS):在电池保护和能量管理中用作开关器件,确保系统安全运行。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于消费电子、家电或工业设备中的电机驱动电路,提供高效的功率传输和控制。
   - H 桥电路:在需要双向控制的电机应用中作为开关元件使用。

 3. 通信设备
   - 基站功率放大器:用于射频 (RF) 功率放大器的偏置控制和功率管理。
   - 网络交换机和路由器:为数据通信设备中的电源模块提供高效率和高可靠性。

 4. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑和平板电脑:用于适配器和内部电源管理单元 (PMU),支持高效的电能转换。
   - 智能手机充电器:在快充方案中作为开关元件,实现高效率和低发热性能。

 5. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器 (PLC):用于信号隔离和功率输出控制。
   - 传感器接口:在工业传感器中作为信号调理和功率控制的开关。

 6. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和其他子系统的电源管理。
   - LED 照明驱动:在汽车内外照明系统中提供高效驱动和调光功能。

SIS892DN-T1-GE3 的优势在于其低导通电阻(典型值为 2.7mΩ)、高电流能力(连续漏极电流高达 74A)以及出色的热性能,使其非常适合需要高效率和高功率密度的应用场景。此外,其小尺寸封装有助于节省 PCB 空间,特别适合对空间要求严格的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAKMOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS892DN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIS892DN-T1-GE3SIS892DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

52 W

Pd-功率耗散

52 W

Qg-GateCharge

14.2 nC

Qg-栅极电荷

14.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

29 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

29 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

611pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SIS892DN-T1-GE3DKR

功率-最大值

52W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

22 S

漏源极电压(Vdss)

100V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

系列

SISxxxDN

配置

Single

零件号别名

SIS892DN-GE3

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