ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STB57N65M5
Datasheet下载- 型号： STB57N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB57N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB57N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTB57N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 42A（Tc） 250W（Tc） D2PAK。您可以下载STB57N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB57N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB57N65M5是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于超级结MOSFET系列，具有650V耐压和较高导通电流能力。该器件主要面向高效率、高功率密度的电源转换应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中，适用于反激、正激、LLC谐振及PFC（功率因数校正）电路，提升能效并降低损耗。 2. PFC电路：在升压式PFC拓扑中作为主开关管，利用其低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，提高功率因数并满足能源标准（如Energy Star、80 PLUS）。 3. 太阳能逆变器：用于DC-DC升压或辅助电源模块，支持高效能量转换，适应可再生能源系统的高可靠性需求。 4. 电动汽车充电设备：适用于车载充电机（OBC）和充电桩中的辅助电源或控制电路，具备良好的热稳定性和长期可靠性。 5. 工业电机驱动与UPS：在不间断电源（UPS）和电机控制电路中作为高频开关元件，实现紧凑设计与高效运行。 STB57N65M5采用TO-220FP或类似封装，具备良好的散热性能和绝缘特性，适合在较宽温度范围内稳定工作。其优化的开关特性和抗雪崩能力，使其在高应力环境下仍保持可靠，是中高功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 42A D2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 26.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB57N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB57N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 63 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-13087-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253377?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 系列 | STB57N65M5 |
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