Datasheet下载- 型号： FCD850N80Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD850N80Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD850N80Z价格参考。Fairchild SemiconductorFCD850N80Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCD850N80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCD850N80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD850N80Z 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点。 主要参数特点： - 类型：N 沟道 MOSFET - 耐压值：800V - 导通电阻低，适合高效率电源转换 - 支持高电流应用 典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） 用于AC-DC转换器、DC-DC转换器中，作为主开关元件，实现高效能能量转换。 2. 电机驱动与控制 在工业自动化设备、电动工具或电动车的电机控制系统中，作为功率开关使用。 3. 照明系统 应用于LED驱动电源、高压气体放电灯（HID）镇流器等场合。 4. 家电控制电路 如电磁炉、变频空调等家用电器中，用于功率调节与开关控制。 5. 新能源领域 适用于太阳能逆变器、储能系统等新能源电力电子装置中，提升能源转换效率。 综上，FCD850N80Z 因其高电压耐受能力和良好性能，广泛应用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。
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