ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > HGTG30N60A4D
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Datasheet下载- 型号： HGTG30N60A4D
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG30N60A4D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG30N60A4D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG30N60A4D封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3。您可以下载HGTG30N60A4D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG30N60A4D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTG30N60A4D是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。该器件具有出色的电气性能和可靠性，适用于多种应用场景。 主要特性 - 耐压能力：最高可承受600V的漏源极电压（VDS），适合高压环境。 - 低导通电阻：RDS(on) 为1.5mΩ（典型值），有助于降低功率损耗，提高效率。 - 高电流承载能力：连续漏极电流（ID）可达30A，峰值电流更高，适用于大电流应用。 - 快速开关特性：具备较低的栅极电荷（Qg），支持高频开关操作，减少开关损耗。 - 封装形式：采用TO-247封装，便于散热和安装。 应用场景 1. 电源管理 - HGTG30N60A4D广泛应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等设备中。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压、大电流条件下高效工作，确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动 - 在工业自动化领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。其快速开关特性和低导通电阻能够有效减少发热，提高电机控制的精度和响应速度。 3. 逆变器 - 该器件适用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等新能源转换系统。其高压和大电流特性能够满足逆变器对功率器件的严格要求，确保能量转换的高效性。 4. 汽车电子 - 在电动汽车和混合动力汽车中，HGTG30N60A4D可用于车载充电器、DC-DC转换器等关键部件。其可靠性和高效性能有助于提升车辆的整体能效和安全性。 5. 消费电子产品 - 在一些高端消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器等，该MOSFET同样表现出色，提供高效且稳定的电源管理解决方案。 总之，HGTG30N60A4D凭借其卓越的电气性能和可靠性，成为众多高压、大电流应用场景中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 25ns/150ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 600V 75A 463W TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 225nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTG30N60A4D |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 280µJ （开）， 240µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 30A, 3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V，30A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 其它名称 | HGTG30N60A4D_NL |
| 功率-最大值 | 463W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 55ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 75A |
| 输入类型 | 标准 |
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