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- 型号： HUF75623S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75623S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75623S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75623S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75623S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75623S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75623S3S3ST是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件。该产品广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关和负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池保护电路；各类DC-DC转换器，用于提升电源转换效率；电机驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机的控制；以及LED驱动电路，为高亮度LED提供稳定开关控制。此外，该器件也常用于热插拔电路和过流保护模块中，凭借其快速响应特性，有效防止系统因电流冲击而损坏。 HUF75623S3ST具备低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提高整体能效。同时采用SMT封装（如DPAK或类似），便于自动化贴装，适合高密度PCB设计。其耐用性和稳定性也使其在工业控制、消费类电源适配器和嵌入式系统中得到广泛应用。 综上所述，HUF75623S3ST是一款高性能、高可靠性的MOSFET，适用于对能效和空间布局有较高要求的中低功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75623S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 64 毫欧 @ 22A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
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