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产品简介:
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IPD090N03LGATMA1 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,具体为 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),并且属于单通道设计。以下是该型号的应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IPD090N03LGATMA1 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于高效能的开关电源中。例如,在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及充电器等设备中,可以实现高效的功率转换和低功耗。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可以用作电机驱动电路中的开关元件,适用于小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)。其快速开关速度和低损耗性能有助于提高电机驱动效率。 3. 电池管理系统(BMS) - 在电池保护和管理系统中,这款 MOSFET 可作为负载开关或保护开关使用,确保电池在过流、短路或其他异常情况下的安全运行。 4. 消费类电子产品 - 应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理模块中,提供高效的电源切换和负载控制功能。 5. 工业自动化 - 在工业控制领域,例如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和其他需要高可靠性和高效能开关的场合,IPD090N03LGATMA1 可以发挥重要作用。 6. 汽车电子 - 虽然 IPD090N03LGATMA1 主要面向通用市场,但在某些非核心汽车应用中(如车灯控制、风扇驱动等),也可以作为功率开关使用。 技术优势: - 低导通电阻:减少功率损耗,提高系统效率。 - 高开关频率:支持高频开关应用,适合现代紧凑型设计。 - 出色的热性能:有助于提升整体系统的稳定性和可靠性。 综上所述,IPD090N03LGATMA1 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景,尤其适合对能耗和性能要求较高的设备。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD090N03LGATMA1 |
产品型号 | IPD090N03LGATMA1 |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
Qg-GateCharge | 15 nC |
Qg-栅极电荷 | 15 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 3 ns |
下降时间 | 2.6 ns |
产品种类 | MOSFET |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 53 S |
系列 | IPD090N03 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000680636 |