Datasheet下载- 型号： IRFD9020PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD9020PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD9020PBF价格参考。VishayIRFD9020PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD9020PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD9020PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFD9020PBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IRFD9020PBF 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM），能够提供高效的功率转换和稳定的输出。 2. 电机控制：在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或伺服电机，该器件可作为开关元件，实现精确的速度和方向控制。 3. 负载切换：用于电池供电设备（如笔记本电脑、平板电脑等）中的负载切换，确保电路的安全性和稳定性。 4. 逆变器：在小型逆变器中用作开关元件，将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变器。 5. 保护电路：在过流保护、短路保护和电子保险丝设计中，IRFD9020PBF 可快速响应并切断异常电流路径。 6. 音频放大器：在 D 类音频放大器中，该 MOSFET 可作为开关元件，提供高效率和低失真的音频输出。 7. 通信设备：用于基站、路由器和其他通信设备中的功率管理模块，确保信号处理单元的稳定运行。 8. 汽车电子：适用于汽车内部的低压系统，如车窗升降器、座椅调节器和灯光控制系统。 IRFD9020PBF 的低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度使其非常适合上述应用，同时其封装形式（TO-252/DPak）便于散热和安装，满足多种工业和消费类电子产品的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIPMOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD9020PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD9020PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 960mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD9020PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 1.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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