图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: BC817-16LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

BC817-16LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC817-16LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC817-16LT1G价格参考¥0.10-¥0.10。ON SemiconductorBC817-16LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BC817-16LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC817-16LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 45V 500MA SOT23两极晶体管 - BJT 500mA 50V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC817-16LT1G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BC817-16LT1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

700mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,1V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BC817-16LT1GOSCT

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

BC817-16L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.7 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

100MHz

BC817-16LT1G 相关产品

MJE18006

品牌:ON Semiconductor

价格:

STX616

品牌:STMicroelectronics

价格:

FZT593TC

品牌:Diodes Incorporated

价格:

2N2218A

品牌:Central Semiconductor Corp

价格:

JAN2N2907A

品牌:Microsemi Corporation

价格:

SMSD602-RT1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

MPSA63ZL1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SC5964-TD-E

品牌:ON Semiconductor

价格: