【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_2SD1834T100】封装/厂家_2SD1834T100中文资料_价格

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型号： 2SD1834T100
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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2SD1834T100产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1834T100由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1834T100价格参考￥2.14-￥4.00。ROHM Semiconductor2SD1834T100封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 60V 1A 150MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SD1834T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD1834T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DARL NPN 60V 1A SOT-89达林顿晶体管 DARL NPN 60V 1A
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Rohm Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,达林顿晶体管,ROHM Semiconductor 2SD1834T100-
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产品型号	2SD1834T100
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.5V @ 500µA， 500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	2000 @ 500mA，3V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	Transistors
供应商器件封装	MPT3
其它名称	2SD1834T100CT
功率-最大值	2W
功率耗散	0.5 W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	7 V
商标	ROHM Semiconductor
增益带宽产品fT	150 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
封装/箱体	SOT-89
工厂包装数量	1000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN - 达林顿
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	1 A
最大集电极截止电流	1 uA
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	2000
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	60 V
集电极—基极电压VCBO	60 V
集电极连续电流	1 A
频率-跃迁	150MHz