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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 50C02CH-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供50C02CH-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 50C02CH-TL-E价格参考。ON Semiconductor50C02CH-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载50C02CH-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有50C02CH-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
50C02CH-TL-E 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管具有较高的电流和功率处理能力，适用于需要高效能开关与功率放大的应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、稳压电源等电路中，作为开关元件使用，实现高效的能量转换。 2. 电机驱动电路：在直流电机控制或继电器驱动电路中，作为高电流放大元件，控制电机启停或转速调节。 3. 工业控制系统：广泛应用于工业自动化设备中的信号放大、负载开关控制等场景。 4. 汽车电子系统：如车载充电系统、照明控制、风扇电机控制等，得益于其良好的稳定性和耐高温性能。 5. 消费类电子产品：如大功率LED驱动、家用电器的控制电路中，用作高电流负载的开关控制。 该晶体管采用表面贴装封装（如TO-252），便于自动化生产和散热设计，适合中高功率应用场合。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制，并合理配置基极驱动电路以确保可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 0.5A 50V CPH3两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.5A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 50C02CH-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 50C02CH-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 500 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 封装/箱体 | SOT23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | 50C02CH |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 频率-跃迁 | 500MHz |
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