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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A13FTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A13FTA价格参考¥1.01-¥3.21。Diodes Inc.ZXMP6A13FTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 900mA(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载ZXMP6A13FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMP6A13FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP6A13FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管中的 FET(场效应晶体管)类别。该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理开关:常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,实现低功耗待机与快速响应。 2. 电压反向保护电路:因其 P 沟道特性,适合用于防止电源反接损坏后级电路,在充电器、移动电源等产品中广泛应用。 3. DC-DC 转换电路:在同步整流或低端开关配置中作为控制元件,提升转换效率。 4. 信号切换与逻辑控制:可用于小信号开关应用,如传感器模块、I²C 总线隔离等低电流控制场合。 ZXMP6A13FTA 具有 -100V 的漏源电压(VDS)和 -1.4A 的连续漏极电流(ID),支持较宽的工作电压范围,同时具备良好的栅极阈值电压匹配性,便于与低压逻辑信号(如 3.3V 或 5V MCU 输出)直接接口,无需额外驱动电路。其小型化封装特别适合高密度 PCB 设计,广泛应用于消费电子、工业控制、通信模块及物联网设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3MOSFET 60V P-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A13FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP6A13FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 下降时间 | 2.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 219pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 900mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMP6A13FTR |
| 其它图纸 |
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| 典型关闭延迟时间 | 11.2 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 900mA (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |