ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7463ADP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI7463ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7463ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7463ADP-T1-GE3价格参考。VishaySI7463ADP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 40V 46A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7463ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7463ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7463ADP-T1-GE3 是一款高性能P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm超小型TrenchFET®封装（PowerPAK® SC-70-6），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热性能，广泛应用于以下场景： 1. 移动设备电源管理：常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关、电源通断控制及电池供电路径管理，因其低功耗特性有助于延长电池续航。 2. DC-DC转换电路：在同步整流或电压反向保护电路中作为开关元件，提升电源转换效率，适用于低电压、小电流的便携式系统电源模块。 3. 信号开关与逻辑控制：可用于模拟开关、电平转换器或GPIO驱动电路，实现高速信号切换，满足消费类电子产品对响应速度和集成度的要求。 4. 热插拔与过流保护电路：凭借其快速响应能力和可靠性能，适合用于USB端口、SD卡接口等需要防反接和浪涌电流抑制的场合。 5. 工业与通信模块：在小型传感器模块、IoT终端设备中作为功率开关，支持紧凑设计并保证稳定运行。 SI7463ADP-T1-GE3凭借小尺寸、高可靠性及优良的电气特性，特别适合对空间和能效要求严苛的现代电子设备，是替代传统通孔MOSFET的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI7463ADP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4150pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 144nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 46A （Tc） |
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