【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_MMBTA56】封装/厂家_MMBTA56中文资料_价格

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型号： MMBTA56
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA56由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA56价格参考。Diodes Inc.MMBTA56封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 500mA 50MHz 350mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载MMBTA56参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTA56 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

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参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR GP PNP AMP SOT-23两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBTA56-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MMBTA56
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	200mV @ 10mA，100mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 100mA，1V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-23
其它名称	MMBTA56FSCT
功率-最大值	350mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	60 mg
发射极-基极电压VEBO	- 4 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	50 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	350 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.5 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	80V
电流-集电极(Ic)（最大值）	500mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
系列	MMBTA56
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 80 V
集电极—基极电压VCBO	- 80 V
集电极—射极饱和电压	- 0.2 V
集电极连续电流	0.5 A
零件号别名	MMBTA56_NL
频率-跃迁	50MHz