ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NJVMJD3055T4G
Datasheet下载- 型号： NJVMJD3055T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD3055T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD3055T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD3055T4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 10A 2MHz 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载NJVMJD3055T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD3055T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NJVMJD3055T4G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于MJD3055系列，常用于中高功率应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于线性电源、开关电源（SMPS）中的功率放大与调节电路，具备良好的电流驱动能力，适合用作达林顿对或功率推挽输出级。 2. 电机驱动：在直流电机控制、继电器驱动及工业自动化设备中，作为开关元件控制较大负载电流，适用于中等功率电机启停与调速。 3. 照明系统：用于LED驱动电路，特别是在需要恒流控制或高亮度照明的应用中，可作为调整管使用。 4. 消费电子与工业设备：常见于家用电器（如电视、音响电源模块）、电源适配器、充电器等产品中，承担功率放大或电源切换功能。 5. 汽车电子：因符合AEC-Q101车规标准（具体需确认批次认证），可用于车载电源系统、灯光控制、风扇电机驱动等环境较严苛的场景。 该器件具有高集电极电流（可达10A）、较高电压耐受（VCEO=60V）和优良的热稳定性，采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，便于散热和自动化生产，适合需要高效、可靠功率控制的中大电流应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BIP NPN 10A 60V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NJVMJD3055T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 8V @ 3.3A，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 4A，4V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 频率-跃迁 | 2MHz |
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