ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVN4206GVTA
Datasheet下载- 型号： ZVN4206GVTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4206GVTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4206GVTA价格参考。Diodes Inc.ZVN4206GVTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223。您可以下载ZVN4206GVTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4206GVTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN4206GVTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的器件。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）： ZVN4206GVTA 的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于开关模式电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的开断，适用于降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件来控制电机的启停、转速和方向。其低导通损耗有助于提高系统的整体效率。 3. 负载开关： 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，ZVN4206GVTA 可用作负载开关，实现对不同负载的动态供电管理，从而降低功耗并延长电池寿命。 4. 电池保护电路： 它可用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过充、过放或短路等问题。通过精确控制电流流动，确保电池的安全运行。 5. 音频放大器： 在一些低功率音频放大器中，ZVN4206GVTA 可以作为输出级的驱动元件，提供高效的信号放大功能，同时保持较低的失真率。 6. LED 驱动： 该 MOSFET 适合用于 LED 照明系统的恒流驱动电路中，能够精准调节 LED 的亮度并维持稳定的发光效果。 7. 信号切换与隔离： 在需要进行信号切换或隔离的应用场合，例如数据通信接口或多路复用器设计中，ZVN4206GVTA 能够提供可靠的性能表现。 综上所述，ZVN4206GVTA 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式，在消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223MOSFET N-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4206GVTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4206GVTA |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVN4206GVTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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