Datasheet下载- 型号： 2SC5964-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5964-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5964-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC5964-TD-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5964-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5964-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5964-TD-E 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于高频放大和开关应用。该晶体管具有良好的高频响应和稳定性能，适用于需要高效信号处理的电子电路。 其主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：2SC5964适用于无线通信设备中的射频信号放大，如基站、无线接入点等。 2. 高频开关电路：因其快速开关特性，可用于DC-DC转换器、电源管理模块等。 3. 音频放大器：在音响系统中作为前置或驱动级放大元件，提供良好的信号增益。 4. 工业控制设备：用于传感器信号调理、继电器驱动及自动控制系统中的逻辑开关。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、LED照明调光电路中实现功率控制与信号放大。 综上，2SC5964-TD-E凭借其高频性能和可靠性，广泛应用于通信、工业、消费电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 50V 3A PCP两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5964-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5964-TD-E |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 290mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V, 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 390 MHz, 380 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | PCP |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 2SC5964 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V, 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V, 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 125 mV, 100 mV |
| 集电极连续电流 | -3 A, 3 A |
| 频率-跃迁 | 380MHz |
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