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  • 型号: SI7119DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7119DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7119DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7119DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7119DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7119DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7119DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7119DN-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET,采用1.2mm × 1.2mm小型DFN1212封装,具有低导通电阻和小尺寸特点。该器件适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。

主要应用场景包括:智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关,用于控制电池供电或模块电源的通断;在DC-DC转换电路中作为同步整流或电平转换元件,提升能效;还可用于热插拔电路、LED驱动开关及各类低电压逻辑控制应用。其12V的漏源电压和-1.8A的连续电流能力,适合工作在3.3V或5V系统中。

由于采用无铅环保封装并符合RoHS标准,SI7119DN-T1-GE3广泛应用于消费类电子产品和工业控制领域,尤其适合高密度PCB布局设计。其快速开关特性和低功耗表现,有助于延长电池寿命并提升系统稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.2 A

Id-连续漏极电流

1.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7119DN-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI7119DN-T1-GE3SI7119DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.05 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.05 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

- 200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

666pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.05 欧姆 @ 1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SI7119DN-T1-GE3CT

功率-最大值

52W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 50 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.8A (Tc)

系列

SI71xxDx

配置

Single

零件号别名

SI7119DN-GE3

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