【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDD6612A】封装/厂家_FDD6612A中文资料_价格

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型号： FDD6612A
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6612A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6612A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6612A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），36W（Tc） D-PAK（TO-252）。您可以下载FDD6612A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6612A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD6612A 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。该型号的晶体管具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。

 应用场景：

1. 电源管理：
   FDD6612A 常用于各种电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗，提高效率。在电池供电设备中，它能够有效延长电池寿命。

2. 电机驱动：
   在电机驱动应用中，FDD6612A 可以作为功率级的一部分，用于控制电机的速度和方向。其快速开关能力和低损耗特性使其适合于高效能的电机控制系统，如电动工具、家用电器中的小型电机。

3. 负载开关：
   该器件可用于实现负载开关功能，用于保护电路免受过流、短路等故障的影响。其低导通电阻可以最大限度地减少开关时的电压降，确保系统稳定运行。

4. 通信设备：
   在通信设备中，FDD6612A 可用于电源管理和信号处理电路。其快速开关速度和低噪声特性使其适用于需要高频工作的通信模块，如基站、路由器等。

5. 消费电子产品：
   FDD6612A 广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它用于电源管理、充电电路、背光驱动等，帮助优化设备的功耗和性能。

6. 工业自动化：
   在工业自动化领域，FDD6612A 可用于驱动传感器、执行器和其他外围设备。其可靠性和耐用性使得它能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。

7. 汽车电子：
   FDD6612A 也可用于汽车电子系统中，如车身控制模块、电动助力转向系统、LED 照明等。其高温性能和可靠性使其能够适应汽车环境的苛刻要求。

总之，FDD6612A 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率管理、快速开关和低损耗的场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAKMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	30 A
Id-连续漏极电流	30 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6612APowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDD6612A
Pd-PowerDissipation	2.8 W
Pd-功率耗散	2.8 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	15 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	15 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	5 ns
下降时间	4 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	660pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	9.4nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	20 毫欧 @ 9.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-252-3
其它名称	FDD6612ACT
典型关闭延迟时间	24 ns
功率-最大值	1.3W
包装	剪切带（CT）
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	28 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	9.5A （Ta）， 30A （Tc）
系列	FDD6612A
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FDD6612A_NL