ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFG540W/XR,135
Datasheet下载- 型号： BFG540W/XR,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BFG540W/XR,135产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG540W/XR,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG540W/XR,135价格参考。NXP SemiconductorsBFG540W/XR,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 500mW Surface Mount CMPAK-4。您可以下载BFG540W/XR,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG540W/XR,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG540W/XR,135 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗碳（SiGe:C）技术器件，主要用于高频、低噪声的射频放大应用。该器件采用SOT323封装，具有良好的高频响应和稳定性，适用于工作频率高达几GHz的电路。 其典型应用场景包括： 1. 无线通信系统：广泛用于蜂窝基站、微波链路和无线基础设施中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，支持GSM、UMTS、LTE等移动通信标准。 2. 宽带射频前端：适用于各类宽带接收机和发射模块，提供高增益和低噪声性能，提升信号接收灵敏度。 3. 卫星通信与广播设备：在低功率射频放大环节中表现优异，适合对信号保真度要求较高的场合。 4. 工业与射频测试设备：用于信号发生器、频谱分析仪等仪器中的射频放大级，确保信号完整性。 BFG540W/XR,135 具有高增益（典型值约22dB@2GHz）、低噪声系数（约1.1dB@2GHz）和良好的线性度，能够在较低的静态电流下实现优异的射频性能，有助于降低系统功耗。此外，其小型化封装适合高密度PCB布局，广泛应用于空间受限的射频模块设计中。 综上，该型号适用于对性能、尺寸和功耗均有较高要求的现代射频电子系统，是通信基础设施和高频电子设备中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT343R |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFG540W/XR,135 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 40mA，8V |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-5821-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
