Datasheet下载- 型号： MRF581G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF581G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF581G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MRF581G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF581G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF581G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF581G是由Microsemi Power Products Group（现属Microchip Technology）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高功率、高频的射频放大应用。该器件典型工作频率范围覆盖VHF至UHF波段，具备良好的功率增益和热稳定性，适用于对可靠性和性能要求较高的工业与通信场景。 其主要应用场景包括：陆地移动无线电系统（如警用、消防、交通调度等专业通信设备）、广播发射机中的射频功率放大级、工业加热设备、射频能量应用以及高可靠性军事通信系统。MRF581G能够在高电压和高输出功率条件下稳定工作，适合用于需要连续波（CW）或高调制信号放大的场合。 此外，得益于其坚固的封装设计和出色的散热性能，MRF581G在恶劣环境下的运行可靠性较高，广泛应用于户外基站、车载通信平台及固定式高功率发射装置中。作为一款成熟的射频功率晶体管，它常被用于替代或升级早期类似型号，提升系统整体效率与稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11675-mrf581-mrf581a-reva-pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF581G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | Micro-X 陶瓷（84C） |
| 其它名称 | MRF581GMI |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| 增益 | 13dB ~ 15.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 18V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 频率-跃迁 | 5GHz |
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