ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD16321Q5
Datasheet下载- 型号： CSD16321Q5
- 制造商： Texas Instruments
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16321Q5由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16321Q5价格参考￥8.33-￥12.92。Texas InstrumentsCSD16321Q5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）。您可以下载CSD16321Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16321Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16321Q5是Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于MOSFET单晶体管产品系列。该器件采用5V逻辑电平兼容的栅极设计，具有低导通电阻（RDS(on)），可实现高效能开关操作。 其主要应用场景包括： 1. 同步整流：在开关电源（如DC-DC转换器）中作为同步整流管使用，提升电源效率，降低功耗和发热。 2. 负载开关：适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和低损耗控制。 4. 电池供电系统：广泛应用于笔记本电脑、移动电源、电动工具等对能效和空间要求较高的设备中。 5. 热插拔电路：用于防止电流冲击，保护系统电源稳定运行。 CSD16321Q5采用小型化SON 2mm×2mm封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能。其低栅极电荷和低导通电阻特性，使其在高频开关应用中表现优异，有助于减小整体系统尺寸并提高能效。 综上，CSD16321Q5特别适用于注重效率、空间和可靠性的低压大电流开关电源与电源管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SONMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16321Q5NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16321Q5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V, + 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-24517-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16321Q5 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A（Ta）， 100A（Tc） |
| 系列 | CSD16321Q5 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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