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  • 型号: BFU630F,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BFU630F,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFU630F,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU630F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU630F,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 5.5V 30mA 21GHz 200mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU630F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFU630F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN SOT343F射频双极晶体管 Single NPN 21GHz

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU630F,115-

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产品型号

BFU630F,115

PCN封装

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

90 @ 5mA,2V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

4-DFP

其它名称

568-8453-2
934064609115
BFU630F,115-ND
BFU630F115

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

2.5 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益

13dB ~ 22.5dB

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-343F

封装/箱体

SOT-343F

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

5.5V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

90

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

5.5 V

集电极连续电流

3 mA

频率-跃迁

21GHz

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