Datasheet下载- 型号： BFU530AR
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU530AR由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU530AR价格参考。NXP SemiconductorsBFU530AR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFU530AR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU530AR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU530AR是NXP USA Inc.推出的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频放大和射频信号处理应用。该器件适用于工作频率高达数GHz的场景，具备良好的增益、噪声特性和线性度，适合对信号保真度要求较高的系统。 典型应用场景包括：无线通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、中频或射频放大级；移动通信设备如基站、直放站中的前端模块；以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备中的射频放大单元。此外，BFU530AR也广泛用于广播设备、卫星通信系统和点对点微波链路等高性能射频系统中。 其SOT457（SC-74A）小型封装有利于节省PCB空间，适合高密度布局的现代射频电路设计。同时，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，满足工业级应用需求。 综上，BFU530AR是一款适用于高性能射频放大场景的通用型NPN晶体管，特别适合需要高增益与低噪声表现的无线通信和射频前端设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 12V 40MA TO-236AB |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFU530AR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-11509-6 |
| 功率-最大值 | * |
| 包装 | * |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | * |
| 增益 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | * |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | * |
| 配用 | /product-detail/zh/OM7961/568-11524-ND/4895773 |
| 频率-跃迁 | * |
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