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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ27VCLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ27VCLT1G价格参考¥0.14-¥0.14。ON SemiconductorMMBZ27VCLT1G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MMBZ27VCLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ27VCLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ27VCLT1G是一款表面贴装的瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于齐纳击穿型TVS器件,主要用于电路中的过压保护。其工作电压为27V,适用于直流电源线路和低功率信号线的静电放电(ESD)及瞬态电压防护。 该型号广泛应用于便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备,用于保护敏感的集成电路免受ESD冲击(如IEC 61000-4-2标准规定的±15kV空气放电和±8kV接触放电)。此外,也常用于接口保护,例如USB端口、HDMI、音频/视频接口和GPIO引脚,防止因人为操作或连接插拔产生的瞬态高压损坏主控芯片。 在工业控制和通信设备中,MMBZ27VCLT1G可用于保护传感器信号线、数据总线和低速通信线路(如I2C、SPI等),提升系统可靠性。由于其响应时间快(通常小于1ns)、漏电流低、封装小巧(SOD-323),非常适合空间受限且对稳定性要求高的应用场景。 总之,MMBZ27VCLT1G凭借高可靠性、小型化和优异的保护性能,广泛用于消费电子、工业电子和通信领域的低压电路过压防护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 22VWM 38VC SOT23TVS二极管阵列 27V 225mW Dual Common Cathode |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ27VCLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ27VCLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ27VCLT1GOSDKR |
| 击穿电压 | 25.65 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 1 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 40 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 22 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 25.65V |
| 电压-反向关态(典型值) | 22V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 38V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZ27VCLT1G |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 38 V |