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  • 型号: MRF559G
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF559G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF559G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MRF559G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF559G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF559G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology子公司)的MRF559G是一款射频双极结型晶体管(RF BJT),属于高频功率放大器件。该器件主要应用于射频功率放大器的设计,适用于无线通信、广播系统、工业加热设备以及测试仪器等领域。

MRF559G可在VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段下工作,具有良好的线性放大性能和较高的可靠性,适合用于FM广播、电视发射机、无线基础设施以及射频激励源等应用场景。其高增益和输出功率能力使其在中功率射频放大电路中表现出色。

此外,该晶体管在设计上具备良好的热稳定性和抗负载失配能力,能够在较恶劣的工作环境下保持稳定运行,因此也常用于工业和军事级设备中。由于其频率响应范围广,MRF559G也可用于射频加热、等离子体生成和医疗射频设备等特殊应用领域。

总之,MRF559G是一款性能稳定、适用范围广的射频双极晶体管,广泛应用于通信、广播、工业及测试设备中的射频功率放大环节。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 16V 150MA MACRO X

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

Microsemi Power Products Group

数据手册

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产品图片

产品型号

MRF559G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 50mA,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

Micro-X 陶瓷(84C)

其它名称

MRF559GMI
MRF559GMI-ND

功率-最大值

2W

包装

散装

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

-

增益

8dB ~ 9.5dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

微型-X 陶瓷 84C

晶体管类型

NPN

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

16V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

频率-跃迁

-

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