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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF559G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF559G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MRF559G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF559G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF559G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology子公司)的MRF559G是一款射频双极结型晶体管(RF BJT),属于高频功率放大器件。该器件主要应用于射频功率放大器的设计,适用于无线通信、广播系统、工业加热设备以及测试仪器等领域。 MRF559G可在VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段下工作,具有良好的线性放大性能和较高的可靠性,适合用于FM广播、电视发射机、无线基础设施以及射频激励源等应用场景。其高增益和输出功率能力使其在中功率射频放大电路中表现出色。 此外,该晶体管在设计上具备良好的热稳定性和抗负载失配能力,能够在较恶劣的工作环境下保持稳定运行,因此也常用于工业和军事级设备中。由于其频率响应范围广,MRF559G也可用于射频加热、等离子体生成和医疗射频设备等特殊应用领域。 总之,MRF559G是一款性能稳定、适用范围广的射频双极晶体管,广泛应用于通信、广播、工业及测试设备中的射频功率放大环节。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 16V 150MA MACRO X |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF559G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 50mA,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | Micro-X 陶瓷(84C) |
| 其它名称 | MRF559GMI |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
| 增益 | 8dB ~ 9.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 16V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 频率-跃迁 | - |