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  • 型号: NE68530-T1
  • 制造商: CEL
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NE68530-T1由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE68530-T1价格参考。CELNE68530-T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NE68530-T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE68530-T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE68530-T1 是由 CEL(California Eastern Laboratories)生产的一款双极性射频晶体管(RF BJT),主要用于高频和射频应用领域。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 射频功率放大器
   NE68530-T1 适用于设计射频功率放大器,尤其是在 VHF 和 UHF 频段(如 30 MHz 至 1 GHz)。它能够提供较高的增益和输出功率,适合用于通信设备、无线广播系统以及工业科学医疗(ISM)频段的功率放大。

 2. 无线电通信
   - 对讲机:可用于对讲机的发射部分,提升信号强度和传输距离。
   - 业余无线电:在业余无线电爱好者中,该晶体管可用来构建高效的小型射频功率放大器。
   - 调制解调器:在某些模拟或数字调制解调器中,作为射频信号放大的核心元件。

 3. 无线数据传输
   在物联网(IoT)设备或其他无线数据传输系统中,NE68530-T1 可以用作射频信号的驱动放大器或最终功率放大器,确保信号能够在一定范围内稳定传输。

 4. 测试与测量设备
   该晶体管可以集成到射频测试仪器中,例如信号发生器、频谱分析仪或网络分析仪,用于生成或处理高频信号。

 5. 雷达和导航系统
   在小型雷达或导航系统中,NE68530-T1 能够为射频前端提供必要的功率放大功能,支持目标检测和定位。

 6. 广播电视
   用于广播电台的低功率发射机或实验性广播设备中,增强音频信号的射频传输能力。

 总结
NE68530-T1 的主要优势在于其高频率性能、良好的线性度和稳定性,使其成为射频电路设计中的理想选择。无论是商业用途还是 DIY 项目,这款晶体管都能满足多种射频应用需求。具体使用时需根据实际电路设计要求,合理匹配偏置条件、负载阻抗和其他外围元件参数,以实现最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 2GHZ SOT-323

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

CEL

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

NE68530-T1

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

75 @ 10mA,3V

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

NE68530
NE68530-ND
NE68530CT
NE68530T1

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

7dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

6V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30mA

频率-跃迁

12GHz

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